Cấy ghép nha khoa đã bắt đầu và phát triển từ thời đại của Branemark, khi mà implant được thực hiện qua hai giai đoạn với một khoảng thời gian lành thương vùi cho hàm dưới mất răng. Ngày nay, từ quy trình của Branemark đã xuất hiện xu hướng thay đổi mới, phát triển dần lên quy trình đặt implant tức thì và tải lực tức thì cho các răng đơn lẻ lẫn phục hình toàn hàm. Các nguyên tắc nền tảng cho thành công và tính tiên lượng của điều trị đòi hỏi cần phải có đủ vững ổn sơ khởi ngay tại thời điểm đặt implant. Các thế hệ implant mới đã trải qua nhiều cải tiến đáng kể về thiết kế, từ cấu trúc đại thể lẫn cấu trúc vi thể của implant, với hình dạng tối ưu cho việc đặt implant với lực xoắn cao, giúp có thể lựa chọn thực hiện chức năng tức thì. Bài báo cáo sẽ chia sẻ những chìa khóa mấu chốt cho thành công và tính tiên lượng của điều trị, làm thế nào để đảm bảo vững ổn sơ khởi tối ưu với quy trình đặt và phục hình tạm tức thì cho implant.
GIỚI THIỆU VỀ DIỄN GIẢ
LÝ LỊCH KHOA HỌC
Bs Christopher Ho là bác sĩ chuyên phục hình, nhận bằng tốt nghiệp thủ khoa tại Đại học Sydney.
Ông đã hoàn thành chương trình sau đại học với bằng Diploma về Cấy ghép nha khoa lâm sàng tại Đại học Sydney, và bằng Thạc sĩ loại xuất sắc về Phục hình nha khoa lâm sàng tại Đại học London. Sau đó ông hoàn tất bằng Tiến sĩ về Phục hình lâm sàng tại Đại học Sydney và là Học giả của Viện đào tạo Piere Fauchard. Ông là thành viên chuyên gia của Hội bác sĩ phục hình hoàng gia Australia và là Học giả của Hội nha sĩ Hoa Kỳ.
BS Ho tham gia báo cáo ở nhiều nơi, ở trong nước lẫn quốc tế, về nha khoa thẩm mỹ và nha khoa cấy ghép. Ông tham gia xây dựng chương trình đào tạo Diploma về implant và phục hình tại Đại học Sydney.
Ông là thành viên bộ môn của Viện Đào tạo nha khoa toàn cầu, Viện Nha khoa ưu tú, và là giảng viên thỉnh giảng của Đại học Kings London, Anh.
Ông là tác giả của nhiều bài báo, và là biên tập của sách “Các thủ thuật thực hành trong nha khoa thẩm mỹ” và sắp tới là sách “Các thủ thuật thực hành trong nha khoa cấy ghép” của nhà xuất bản Wiley-Blackwell.